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    二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL-1

    更新時(shí)間:2020-12-09  |  點(diǎn)擊率:212

    二探針單晶硅及多晶硅測試儀 型號:GL-1

    本儀器主要用于測量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況,以便硅材料的切割和加工。

        為適應(yīng)大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展,特別是計(jì)算機(jī)芯片、內(nèi)存的發(fā)展,越來越多的使用到了大直徑、高純度、均勻度更高的單晶硅材料。目前,在美國、德國等先進(jìn)的工業(yè)國家,均采用了二探針法,使用二探針檢測儀來測量大直徑單晶硅的電阻率分布情況。

    儀器符合美國ASTM 《“F391-77”關(guān)于二探針測量硅單晶試驗(yàn)方法》的標(biāo)準(zhǔn),是一種新型的半導(dǎo)體電阻率測試儀,適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法測量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率,從而進(jìn)一步判斷半導(dǎo)體材料的性能,指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作,也可以用來測量金屬材料的電阻,儀器具有測量精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點(diǎn)。也可以配四探針測試頭作常規(guī)的四探針法測量硅晶體材料。

        儀器分為儀表電氣控制箱、測試臺(tái)、探頭三部分,儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗干擾高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定高精度恒流源和電氣控制部分組成。測量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定、輸入阻抗高,并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測試時(shí),具有系數(shù)修正功能,從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù),可以直接讀出電阻率,使用方便。測試臺(tái)結(jié)構(gòu)新穎,造型美觀,可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品,并可以作逐點(diǎn)選擇步進(jìn)測量,也可以自由選擇固定位置測量,電活動(dòng)自如,具備鎖定裝置,方便重復(fù)測量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅,測試探頭能自動(dòng)升降,探針為碳化鎢材料,配置寶石軸承,具有測量精度高、游移率小、耐磨、使用壽命長特點(diǎn)。同時(shí)探頭壓力恒定并且可調(diào)整,以適合不同的材料。

    儀器主要技術(shù)指標(biāo):

    1.可測硅材料尺寸:

         直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。

         長度:100~1100mm.

    2.測量方式:軸向測量,每隔10mm測量一點(diǎn)。

    3.測量電阻率范圍:10-3~103Ω-cm,可擴(kuò)展到105Ω-cm。

    4.數(shù)字電壓表:

        (1)量    程:0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V

        (2)測量誤差:±0.3%讀數(shù)±2字

        (3)輸入阻抗:0.2mV和2mV檔>106Ω

                      20mV檔及以上>108Ω

        (4)顯    示:31/2位LED數(shù)字顯示,范圍0~1999。

    5.恒流源:

        (1)電流輸出:直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。

        (2)量    程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

        (3)電流誤差:±0.3%讀數(shù)±2字

    6.二探針測試裝置:

        (1)探針間距:4.77mm

        (2)探針機(jī)械游移率:0.3%

        (3)探針壓力:0~2kg可調(diào)

        (4)測試探頭自動(dòng)升降

    7.二探針測試臺(tái)

        (1)測試硅單長度:100-1100mm

        (2)測試點(diǎn)間距:10mm

        (3)測試臺(tái)有慢、快二種移動(dòng)速度,快速移動(dòng)速度為1000mm/分(均勻

    手動(dòng))

    8.電源:交流220V±10%,50HZ±2HZ,消耗功率<150W